Производитель : БЕТРО | 

Производитель : AMD | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : DIMM 240-контактный | Тактовая частота : 1333 МГц | Пропускная способность : 10600 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 9 | RAS to CAS Delay (tRCD) : 9 | Row Precharge Delay (tRP) : 9 | Activate to Precharge Delay (tRAS) : 24 | Напряжение питания : 1.5 В | 

Производитель : AMD | Тип памяти : DDR4 | Форм-фактор : DIMM 288-контактный | Тактовая частота : 2133 МГц | Пропускная способность : 17000 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 15 | RAS to CAS Delay (tRCD) : 15 | Row Precharge Delay (tRP) : 15 | Activate to Precharge Delay (tRAS) : 35 | 

Производитель : AMD | Socket : AM4 | Ядро : Bristol Ridge | Количество ядер : 4 | Техпроцесс : 28 нм | Тактовая частота : 3500 МГц | Встроенный контроллер памяти : есть | Тип памяти : DDR4-2400 | Объем кэша L1 : 80 Кб | Объем кэша L2 : 2048 Кб | Инструкции : MMX, SSE, SSE2, SSE3, SSE4 | Поддержка AMD64/EM64T : есть | Поддержка NX Bit : есть | Поддержка Virtualization Technology : есть | Типичное тепловыделение : 65 Вт | 

Производитель : AMD | Тип : SSD | Поддержка секторов размером 4 Кб : есть | Тип флэш-памяти : TLC 3D NAND | Назначение : для ноутбука и настольного компьютера | Форм-фактор : 2.5" | Контроллер : Silicon Motion SM2258 | Игровой : есть | Объем : 120 Гб | Скорость записи/Скорость чтения : 290/520 Мб/с | Подключение : SATA 6Gbit/s | Поддержка TRIM : есть | Внешняя скорость передачи данных : 600 Мб/с | Время наработки на отказ : 1500000 ч | Размеры (ШхВхД) : 70x7x100 мм | 

Производитель : Дельта | 

Производитель : AMD | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : DIMM 240-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 8 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 11 | RAS to CAS Delay (tRCD) : 11 | Row Precharge Delay (tRP) : 11 | Activate to Precharge Delay (tRAS) : 28 | Напряжение питания : 1.5 В | 

Производитель : AMD | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : SODIMM 204-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 8 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | 

Производитель : AMD | Тип памяти : DDR4 | Форм-фактор : DIMM 288-контактный | Тактовая частота : 2400 МГц | Пропускная способность : 19200 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 15 | RAS to CAS Delay (tRCD) : 15 | Row Precharge Delay (tRP) : 15 | Activate to Precharge Delay (tRAS) : 36 | Напряжение питания : 1.2 В | Радиатор : есть | 

Производитель : AMD | Тип памяти : DDR4 | Форм-фактор : DIMM 288-контактный | Тактовая частота : 2400 МГц | Пропускная способность : 19200 Мб/с | Объем : 1 модуль 8 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 15 | RAS to CAS Delay (tRCD) : 15 | Row Precharge Delay (tRP) : 15 | Activate to Precharge Delay (tRAS) : 36 | Напряжение питания : 1.2 В | Радиатор : есть |