Интернет магазин бытовой и встраиваемой техники в Новосибирске | onestore-nsk.ru

Производитель : LARA | описание

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : SODIMM 204-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 11 | Напряжение питания : 1.5 В | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR4 | Форм-фактор : DIMM 288-контактный | Тактовая частота : 2133 МГц | Пропускная способность : 17000 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 15 | Напряжение питания : 1.2 В | Количество ранков : 1 | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR4 | Форм-фактор : SODIMM 260-контактный | Тактовая частота : 2133 МГц | Пропускная способность : 17000 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 15 | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : SODIMM 204-контактный | Тактовая частота : 1333 МГц | Пропускная способность : 10600 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 9 | Количество чипов каждого модуля : 8, двусторонняя упаковка | Напряжение питания : 1.5 В | Количество ранков : 2 | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3L | Форм-фактор : SODIMM 204-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 11 | Напряжение питания : 1.35 В | Количество ранков : 2 | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3L | Форм-фактор : SODIMM 204-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 11 | Напряжение питания : 1.35 В | Количество ранков : 1 | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : SODIMM 204-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 11 | Количество чипов каждого модуля : 16, двусторонняя упаковка | Напряжение питания : 1.5 В | Количество ранков : 2 | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : DIMM 240-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 11 | Напряжение питания : 1.5 В | Количество ранков : 1 | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : SODIMM 204-контактный | Тактовая частота : 1333 МГц | Пропускная способность : 10600 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 9 | Количество чипов каждого модуля : 8, двусторонняя упаковка | Напряжение питания : 1.5 В | Количество ранков : 2 | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR2 | Форм-фактор : SODIMM 200-контактный | Тактовая частота : 800 МГц | Пропускная способность : 6400 Мб/с | Объем : 1 модуль 2 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 6 | Напряжение питания : 1.8 В | Количество ранков : 2 | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : SODIMM 204-контактный | Тактовая частота : 1333 МГц | Пропускная способность : 10600 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 9 | Количество чипов каждого модуля : 8, двусторонняя упаковка | Напряжение питания : 1.5 В | Количество ранков : 2 | 

Производитель : LARA | Кастрюля из нержавеющей стали, вместимостью 4.8 л. Диаметр 22 см. Комбинированная полировка. 9-ступенчатое индукционное дно. Крышка из жаропрочного стекла. Полые ручки на надежных заклепках. Подходит для всех видов плит. Можно мыть в посудомоечной машине.

Производитель : LARA | Кастрюля из нержавеющей стали вместимостью 1.7 л. Диаметр 16 см. Комбинированная полировка. Индукционное капсулированное дно. Ненагревающиеся силиконовые ручки. Крышка из жаропрочного стекла. Двусторонний носик для слива (3мм и 6мм). Экологически чистые материалы. Подходит для всех видов плит.

Производитель : СИГНАЛ | 

Производитель : LARA | описание

Производитель : LARA | Кастрюля из нержавеющей стали вместимостью 1.8 л. Диаметр 16 см. Зеркальная полировка. Индукционное капсулированное дно. Ненагревающиеся силиконовые ручки. Крышка из жаропрочного стекла. Удобная мерная разметка. Подходит для индукционных, стеклокерамических, электрических и газовых плит. Можно мыть в посудомоечной машине.

Производитель : LARA | Сотейник LARA из нержавеющей стали вместимостью 1.8 л. Диаметр 16 см. Зеркальная полировка. Толщина стенок 0.5 мм. Индукционное капсулированное дно. Ненагревающаяся силиконовая ручка. Удобная мерная разметка. Крышка из жаропрочного стекла. Подходит для индукционных, стеклокерамических, электрических и газовых плит.

Производитель : LARA | 

Производитель : СИГНАЛ | 

Производитель : LARA | Кастрюля из нержавеющей стали вместимостью 2.6 л. Диаметр 18 см. Зеркальная полировка. Индукционное капсулированное дно. Ненагревающиеся силиконовые ручки. Крышка из жаропрочного стекла. Удобная мерная разметка. Подходит для индукционных, стеклокерамических, электрических и газовых плит. Можно мыть в посудомоечной машине.

Производитель : LARA | описание

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : SODIMM 204-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 8 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 11 | Напряжение питания : 1.5 В | Количество ранков : 2 | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : DIMM 240-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 8 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 11 | Напряжение питания : 1.5 В | Количество ранков : 2 |