Интернет магазин бытовой и встраиваемой техники в Новосибирске | onestore-nsk.ru

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR2 | Форм-фактор : SODIMM 200-контактный | Тактовая частота : 800 МГц | Пропускная способность : 6400 Мб/с | Объем : 1 модуль 2 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 6 | Напряжение питания : 1.8 В | Количество ранков : 2 | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : SODIMM 204-контактный | Тактовая частота : 1333 МГц | Пропускная способность : 10600 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 9 | Количество чипов каждого модуля : 8, двусторонняя упаковка | Напряжение питания : 1.5 В | Количество ранков : 2 | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : SODIMM 204-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 11 | Количество чипов каждого модуля : 16, двусторонняя упаковка | Напряжение питания : 1.5 В | Количество ранков : 2 | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : DIMM 240-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 11 | Напряжение питания : 1.5 В | Количество ранков : 1 | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : SODIMM 204-контактный | Тактовая частота : 1333 МГц | Пропускная способность : 10600 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 9 | Количество чипов каждого модуля : 8, двусторонняя упаковка | Напряжение питания : 1.5 В | Количество ранков : 2 | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3L | Форм-фактор : SODIMM 204-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 11 | Напряжение питания : 1.35 В | Количество ранков : 1 | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : SODIMM 204-контактный | Тактовая частота : 1333 МГц | Пропускная способность : 10600 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 9 | Количество чипов каждого модуля : 8, двусторонняя упаковка | Напряжение питания : 1.5 В | Количество ранков : 2 | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : SODIMM 204-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 11 | Напряжение питания : 1.5 В | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : DIMM 240-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 11 | Напряжение питания : 1.6 В | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3L | Форм-фактор : SODIMM 204-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 11 | Напряжение питания : 1.35 В | Количество ранков : 2 | 

Производитель : Patriot | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR2 | Форм-фактор : DIMM 240-контактный | Тактовая частота : 800 МГц | Пропускная способность : 6400 Мб/с | Объем : 1 модуль 2 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 6 | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3L | Форм-фактор : SODIMM 204-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 8 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 11 | Напряжение питания : 1.35 В | Количество ранков : 2 | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : DIMM 240-контактный | Тактовая частота : 1333 МГц | Пропускная способность : 10600 Мб/с | Объем : 1 модуль 8 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 9 | Напряжение питания : 1.5 В | Количество ранков : 2 | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : SODIMM 204-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 8 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 11 | Напряжение питания : 1.5 В | Количество ранков : 2 | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : DIMM 240-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 8 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 10 | RAS to CAS Delay (tRCD) : 10 | Row Precharge Delay (tRP) : 10 | Activate to Precharge Delay (tRAS) : 27 | Напряжение питания : 1.5 В | Радиатор : есть | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : DIMM 240-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 2 модуля по 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 9 | RAS to CAS Delay (tRCD) : 9 | Row Precharge Delay (tRP) : 9 | Activate to Precharge Delay (tRAS) : 24 | Напряжение питания : 1.5 В | Радиатор : есть | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR4 | Форм-фактор : DIMM 288-контактный | Тактовая частота : 2400 МГц | Пропускная способность : 19200 Мб/с | Объем : 1 модуль 8 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 17 | Напряжение питания : 1.2 В | 

Производитель : A-DATA | Тип : SSD | Поддержка секторов размером 4 Кб : есть | Тип флэш-памяти : TLC 3D NAND | Назначение : для ноутбука и настольного компьютера | Форм-фактор : 2.5" | Контроллер : Silicon Motion | Объем : 256 Гб | Скорость записи/Скорость чтения : 520/560 Мб/с | Подключение : SATA 6Gbit/s | Поддержка TRIM : есть | Внешняя скорость передачи данных : 600 Мб/с | Поддержка NCQ : есть | Время наработки на отказ : 2000000 ч | Максимальная рабочая температура : 70 °C | Ударостойкость при работе : 1500 G | Ударостойкость при хранении : 1500 G | Размеры (ШхВхД) : 69.85x7x100.45 мм | Вес : 48 г | 

Производитель : Patriot | Тип : электрическая цепная | Конструкция : ручная | Мощность : 1800 Вт | Количество скоростей : 1 | Шаг цепи : 3/8 дюйма | Длина шины : 35 см | Функции и возможности : тормоз цепи | Вес : 4.2 кг | Емкость масляного бака : 0.11 л | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : DIMM 240-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 2 модуля по 8 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 10 | RAS to CAS Delay (tRCD) : 10 | Row Precharge Delay (tRP) : 10 | Activate to Precharge Delay (tRAS) : 27 | Напряжение питания : 1.5 В | Радиатор : есть | 

Производитель : A-DATA | Тип : SSD | Поддержка секторов размером 4 Кб : есть | Тип флэш-памяти : TLC 3D NAND | Назначение : для ноутбука и настольного компьютера | Форм-фактор : 2.5" | Контроллер : Silicon Motion | Объем : 512 Гб | Скорость записи/Скорость чтения : 520/560 Мб/с | Подключение : SATA 6Gbit/s | Поддержка TRIM : есть | Внешняя скорость передачи данных : 600 Мб/с | Поддержка NCQ : есть | Время наработки на отказ : 2000000 ч | Максимальная рабочая температура : 70 °C | Ударостойкость при работе : 1500 G | Ударостойкость при хранении : 1500 G | Размеры (ШхВхД) : 69.85x7x100.45 мм | Вес : 48 г | 

Производитель : POLAR | 

Цвет	черный
Операционная система	Собственная ОС
Гарантийный срок	12 месяцев
Модель	P24L24T2C
Диагональ	24"
Тип матрицы	MVA
Разрешение экрана	1366x768
Формат экрана	16/9
Частота смены кадров (Гц)	60 Гц
Частота обновления	60 Гц
Яркость	230 кд/кв.м
Контрастность	3000/1
Поддержка HDTV	Поддержка разрешений HDTV до 1080p
Разрешение HD	720p HD
Количество портов USB	1 шт
Количество портов HDMI	2 шт
Дополнительные разъемы	HDMI, USB 2.0, AV вход Наушники, Coaxial Audio выход, CI-слот CI+ RF (T2/C)
Тип звуковой системы	Dolby Digital
Мощность акустики	6 Вт
Количество встроенных динамиков	2 шт.
Коммуникации и мультимедиа	CI+
Цифровой тюнер	DVB-T2 / DVB-T / DVB-C / DVB-S2
Возможность крепления на стену	да
Размер VESA	100x100
Доп. опции телевизора	Встроенный кинотеатр USB CINEMA HD, Поддержка формата звука Долби AC3 Запись цифровых каналов USB PVR, TimeShift Технология DGview, Телетекст, Система КОНТРАСТ +
Цифровой ТВ-тюнер	да
Тюнер DVB-T2	да
Встроенный DVD	нет
Поддержка 3D	нет
Защита от детей	есть
Тип дистанционного управления	ИК
Управление голосом	нет
Управление жестами	нет
Потребляемая мощность	25 Вт
Комплектация	Телевизор, пульт ДУ, кабель питания, инструкция, гарантийный талон.
Страна производства	Россия
Вес без упаковки (кг)	2.6 кг
Вес с упаковкой (кг)	3.4 кг
Ширина предмета	55.1 см
Глубина предмета	7.6 см
Высота предмета	34.5 см
Ширина предмета с подставкой	37.9 см
Глубина предмета с подставкой	55.1 см
Высота предмета с подставкой	18 см
Длина упаковки	11 см
Высота упаковки	40 см
Ширина упаковки	61 см

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR4 | Форм-фактор : SODIMM 260-контактный | Тактовая частота : 2400 МГц | Пропускная способность : 19200 Мб/с | Объем : 1 модуль 16 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 17 | RAS to CAS Delay (tRCD) : 17 | Row Precharge Delay (tRP) : 17 | Activate to Precharge Delay (tRAS) : 39 | Напряжение питания : 1.2 В | Количество ранков : 2 |