Интернет магазин бытовой и встраиваемой техники в Новосибирске | onestore-nsk.ru

Производитель : INTEL | Назначение : для процессора | Socket : LGA1150/1151/1155/S1156/2066 | Совместимость : Intel Core i7/i5/i3 / Pentium Dual-Core | Материал радиатора : алюминий | Количество вентиляторов : 1 | Размеры вентилятора (ДхШхВ) : 92x92x25 мм | Тип коннектора : 4-pin PWM | Регулятор оборотов : отсутствует | Вес : 341 г | Подсветка : отсутствует | 

Производитель : INTEL | Назначение : для процессора | Максимальная рассеиваемая мощность, Вт : 100 | Socket : LGA775, LGA1150/1151/1155/S1156/2066, AM2, AM2+, AM3/AM3+/FM1, FM2/FM2+, S754, S939, S940 | Совместимость : Intel Core i7/i5/i3 / Core 2 Quad/Duo / Pentium / Pentium G / Celeron / Celeron G / AMD APU A10/A8/A6/A4 / FX 8/6/4-Core / Phenom II X6/X4/X3/X2 / Phenom X4/X3/X2 / Athlon II X4/X3/X2 / Athlon X4/X2 / Athlon / Sempron | Количество тепловых трубок : 2 | Материал радиатора : алюминий | Количество вентиляторов : 1 | Размеры вентилятора (ДхШхВ) : 120x120x25 мм | Скорость вращения : 900 - 1600 об/мин | Воздушный поток : 54.25 CFM | Уровень шума : 17.8 - 26.1 дБ | Тип подшипника : гидродинамический | Тип коннектора : 4-pin PWM | Регулятор оборотов : отсутствует | Размеры кулера (ШхВxГ) : 128x132x71 мм | Вес : 361 г | Подсветка : отсутствует | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR2 | Форм-фактор : SODIMM 200-контактный | Тактовая частота : 800 МГц | Пропускная способность : 6400 Мб/с | Объем : 1 модуль 2 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 6 | Напряжение питания : 1.8 В | Количество ранков : 2 | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : SODIMM 204-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 11 | Количество чипов каждого модуля : 16, двусторонняя упаковка | Напряжение питания : 1.5 В | Количество ранков : 2 | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : DIMM 240-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 11 | Напряжение питания : 1.5 В | Количество ранков : 1 | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : SODIMM 204-контактный | Тактовая частота : 1333 МГц | Пропускная способность : 10600 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 9 | Количество чипов каждого модуля : 8, двусторонняя упаковка | Напряжение питания : 1.5 В | Количество ранков : 2 | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : SODIMM 204-контактный | Тактовая частота : 1333 МГц | Пропускная способность : 10600 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 9 | Количество чипов каждого модуля : 8, двусторонняя упаковка | Напряжение питания : 1.5 В | Количество ранков : 2 | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : SODIMM 204-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 11 | Напряжение питания : 1.5 В | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : SODIMM 204-контактный | Тактовая частота : 1333 МГц | Пропускная способность : 10600 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 9 | Количество чипов каждого модуля : 8, двусторонняя упаковка | Напряжение питания : 1.5 В | Количество ранков : 2 | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3L | Форм-фактор : SODIMM 204-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 11 | Напряжение питания : 1.35 В | Количество ранков : 1 | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : DIMM 240-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 11 | Напряжение питания : 1.6 В | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3L | Форм-фактор : SODIMM 204-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 11 | Напряжение питания : 1.35 В | Количество ранков : 2 | 

Производитель : Patriot | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR2 | Форм-фактор : DIMM 240-контактный | Тактовая частота : 800 МГц | Пропускная способность : 6400 Мб/с | Объем : 1 модуль 2 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 6 | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3L | Форм-фактор : SODIMM 204-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 8 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 11 | Напряжение питания : 1.35 В | Количество ранков : 2 | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : DIMM 240-контактный | Тактовая частота : 1333 МГц | Пропускная способность : 10600 Мб/с | Объем : 1 модуль 8 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 9 | Напряжение питания : 1.5 В | Количество ранков : 2 | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : SODIMM 204-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 8 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 11 | Напряжение питания : 1.5 В | Количество ранков : 2 | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : DIMM 240-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 8 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 10 | RAS to CAS Delay (tRCD) : 10 | Row Precharge Delay (tRP) : 10 | Activate to Precharge Delay (tRAS) : 27 | Напряжение питания : 1.5 В | Радиатор : есть | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : DIMM 240-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 2 модуля по 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 9 | RAS to CAS Delay (tRCD) : 9 | Row Precharge Delay (tRP) : 9 | Activate to Precharge Delay (tRAS) : 24 | Напряжение питания : 1.5 В | Радиатор : есть | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR4 | Форм-фактор : DIMM 288-контактный | Тактовая частота : 2400 МГц | Пропускная способность : 19200 Мб/с | Объем : 1 модуль 8 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 17 | Напряжение питания : 1.2 В | 

Производитель : Patriot | Тип : электрическая цепная | Конструкция : ручная | Мощность : 1800 Вт | Количество скоростей : 1 | Шаг цепи : 3/8 дюйма | Длина шины : 35 см | Функции и возможности : тормоз цепи | Вес : 4.2 кг | Емкость масляного бака : 0.11 л | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : DIMM 240-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 2 модуля по 8 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 10 | RAS to CAS Delay (tRCD) : 10 | Row Precharge Delay (tRP) : 10 | Activate to Precharge Delay (tRAS) : 27 | Напряжение питания : 1.5 В | Радиатор : есть | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR4 | Форм-фактор : SODIMM 260-контактный | Тактовая частота : 2400 МГц | Пропускная способность : 19200 Мб/с | Объем : 1 модуль 16 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 17 | RAS to CAS Delay (tRCD) : 17 | Row Precharge Delay (tRP) : 17 | Activate to Precharge Delay (tRAS) : 39 | Напряжение питания : 1.2 В | Количество ранков : 2 | 

Производитель : SKYWORTH | 

Цвет	черный
Операционная система	Google TV
Версия операционной системы	11
Гарантийный срок	1 год
Модель	32E55G
Диагональ	32"
Тип матрицы	VA
Разрешение экрана	1366х768
Формат экрана	16/9 4/3
Частота смены кадров (Гц)	60 Гц
Частота обновления	60 Гц
Яркость	200 кд/кв.м
Контрастность	1200/1
Поддержка HDTV	да
Разрешение HD	720p HD
Технологии улучшения изображения	Dolby Vision
Объем встроенной памяти, Гб	8 Гб
Объем оперативной памяти, Гб	1.5 Гб
Беспроводные интерфейсы	Wi-Fi
Стандарт Wi-Fi	IEEE 802.11b/g/n
Интерфейс	AV CI/CI+ HDMI
Количество портов USB	2 шт.
Количество портов HDMI	2 разъема
Дополнительные разъемы	CI RJ-45 (Ethernet) S/PDIF
Мощность акустики	20 Вт
Количество встроенных динамиков	2 шт.
Коммуникации и мультимедиа	LAN
Цифровой тюнер	DVB-C DVB-C2 DVB-S DVB-S2 DVB-T2 DVB-T
Возможность крепления на стену	да
Размер VESA	200х100
Доп. опции телевизора	Android TV
Цифровой ТВ-тюнер	да
Тюнер DVB-T2	да
Защита от детей	да
Тип дистанционного управления	голосовое управление пульт ДУ
Управление голосом	да
Потребляемая мощность	65 Вт
Комплектация	пульт ДУ ТВ кабель питания инструкция подставка винты
Страна производства	Беларусь
Вес без упаковки (кг)	3.35 кг
Вес с упаковкой (кг)	6 кг
Ширина предмета	71.8 см
Глубина предмета	42.7 см
Высота предмета	7.1 см
Ширина предмета с подставкой	71.8 см
Высота предмета с подставкой	47.8 см
Глубина предмета с подставкой	21.5 см