Производитель : THERMALTAKE | Форм-фактор : Mini-ITX | Типоразмер : Micro-Tower | Блок питания : нет | Максимальная длина видеокарты : 285 мм | Габариты (ШхВхГ) : 276x260x316 мм | Максимальная высота процессорного кулера : 140 мм | Материал корпуса : сталь | Окно на боковой стенке : есть | Число внутренних отсеков 3,5" : 2 | Отсеки 2,5" : 2 | Слоты расширения : 2 | Механизм открывания : снимаются две стенки | Встроенные вентиляторы : 1 x 200x200 мм | Места для доп. вентиляторов : 2 x 80x80 мм | Возможность установки системы жидкостного охлаждения : есть | Разъемы на лицевой панели : USB 3.0 x2, наушники, микрофон | Цвет корпуса : черный | Расположение блока питания : горизонтальное | Блок питания внизу : да | Дополнительная информация : место для двух 80 мм вентиляторов сзади; взаимозаменяемые боковые и верхняя крышки; поддержка радиаторов охлаждения | Горизонтальное расположение материнской платы : есть | 

Производитель : THERMALTAKE | Форм-фактор : ATX, mATX | Типоразмер : Midi-Tower | Блок питания : нет | Максимальная длина видеокарты : 315 мм | Габариты (ШхВхГ) : 209x429x480 мм | Вес : 4.2 кг | Максимальная высота процессорного кулера : 155 мм | Материал корпуса : сталь | Окно на боковой стенке : нет | Число внутренних отсеков 3,5" : 3 | Отсеки 2,5" : комбинированные | Число отсеков 5,25" : 3 | Слоты расширения : 7 | Механизм открывания : снимаются две стенки | Безвинтовое крепление в отсеках 3,5" и 5,25" : есть | Встроенные вентиляторы : 1 x 120x120 мм | Места для доп. вентиляторов : 1 x 120x120 мм | Возможность установки системы жидкостного охлаждения : есть | Разъемы на лицевой панели : USB x2, включая один USB 3.0, наушники, микрофон | Цвет корпуса : черный | Расположение блока питания : горизонтальное | Блок питания внизу : да | Дополнительная информация : место для 120 мм вентилятора спереди | 

Производитель : ZALMAN | Форм-фактор : mATX, Mini-ITX | Типоразмер : Mini-Tower | Блок питания : нет | Максимальная длина видеокарты : 300 мм | Габариты (ШхВхГ) : 189x428x364 мм | Окно на боковой стенке : нет | Число внутренних отсеков 3,5" : 2 | Отсеки 2,5" : 3 | Число отсеков 5,25" : 1 | Слоты расширения : 4 | Механизм открывания : снимаются две стенки | Встроенные вентиляторы : 1 x 92x92 мм, 1 x 120x120 мм | Места для доп. вентиляторов : 2 x 120x120 мм | Возможность установки системы жидкостного охлаждения : есть | Разъемы на лицевой панели : USB x2, включая один USB 3.0, наушники, микрофон | Цвет корпуса : черный | Расположение блока питания : горизонтальное | Блок питания внизу : да | Дополнительная информация : место для двух 120 мм вентиляторов сбоку | 

Производитель : AMD | Тип памяти : DDR2 | Форм-фактор : DIMM 240-контактный | Тактовая частота : 800 МГц | Пропускная способность : 6400 Мб/с | Объем : 1 модуль 2 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 5 | RAS to CAS Delay (tRCD) : 5 | Row Precharge Delay (tRP) : 5 | Activate to Precharge Delay (tRAS) : 18 | Напряжение питания : 1.8 В | 

Производитель : AMD | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : SODIMM 204-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | 

Производитель : AMD | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : SODIMM 204-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 8 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | 

Производитель : AMD | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : DIMM 240-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 8 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 11 | RAS to CAS Delay (tRCD) : 11 | Row Precharge Delay (tRP) : 11 | Activate to Precharge Delay (tRAS) : 28 | Напряжение питания : 1.5 В | 

Производитель : AMD | Тип памяти : DDR4 | Форм-фактор : DIMM 288-контактный | Тактовая частота : 2133 МГц | Пропускная способность : 17000 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 15 | RAS to CAS Delay (tRCD) : 15 | Row Precharge Delay (tRP) : 15 | Activate to Precharge Delay (tRAS) : 35 | 

Производитель : AMD | Тип памяти : DDR4 | Форм-фактор : DIMM 288-контактный | Тактовая частота : 2400 МГц | Пропускная способность : 19200 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 15 | RAS to CAS Delay (tRCD) : 15 | Row Precharge Delay (tRP) : 15 | Activate to Precharge Delay (tRAS) : 36 | Напряжение питания : 1.2 В | Радиатор : есть | 

Производитель : AMD | Тип памяти : DDR4 | Форм-фактор : DIMM 288-контактный | Тактовая частота : 2400 МГц | Пропускная способность : 19200 Мб/с | Объем : 1 модуль 8 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 15 | RAS to CAS Delay (tRCD) : 15 | Row Precharge Delay (tRP) : 15 | Activate to Precharge Delay (tRAS) : 36 | Напряжение питания : 1.2 В | Радиатор : есть | 

Производитель : CORSAIR | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : SODIMM 204-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 9 | RAS to CAS Delay (tRCD) : 9 | Row Precharge Delay (tRP) : 9 | Activate to Precharge Delay (tRAS) : 24 | Напряжение питания : 1.5 В | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : SODIMM 204-контактный | Тактовая частота : 1333 МГц | Пропускная способность : 10600 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 9 | Количество чипов каждого модуля : 8, двусторонняя упаковка | Напряжение питания : 1.5 В | Количество ранков : 2 | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR2 | Форм-фактор : DIMM 240-контактный | Тактовая частота : 800 МГц | Пропускная способность : 6400 Мб/с | Объем : 1 модуль 2 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 6 | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR2 | Форм-фактор : SODIMM 200-контактный | Тактовая частота : 800 МГц | Пропускная способность : 6400 Мб/с | Объем : 1 модуль 2 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 6 | Напряжение питания : 1.8 В | Количество ранков : 2 | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : SODIMM 204-контактный | Тактовая частота : 1333 МГц | Пропускная способность : 10600 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 9 | Количество чипов каждого модуля : 8, двусторонняя упаковка | Напряжение питания : 1.5 В | Количество ранков : 2 | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : SODIMM 204-контактный | Тактовая частота : 1333 МГц | Пропускная способность : 10600 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 9 | Количество чипов каждого модуля : 8, двусторонняя упаковка | Напряжение питания : 1.5 В | Количество ранков : 2 | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : DIMM 240-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 11 | Напряжение питания : 1.6 В | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : SODIMM 204-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 11 | Количество чипов каждого модуля : 16, двусторонняя упаковка | Напряжение питания : 1.5 В | Количество ранков : 2 | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : DIMM 240-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 11 | Напряжение питания : 1.5 В | Количество ранков : 1 | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : SODIMM 204-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 11 | Напряжение питания : 1.5 В | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3L | Форм-фактор : SODIMM 204-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 11 | Напряжение питания : 1.35 В | Количество ранков : 2 | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3L | Форм-фактор : SODIMM 204-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 4 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 11 | Напряжение питания : 1.35 В | Количество ранков : 1 | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : DIMM 240-контактный | Тактовая частота : 1333 МГц | Пропускная способность : 10600 Мб/с | Объем : 1 модуль 8 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 9 | Напряжение питания : 1.5 В | Количество ранков : 2 | 

Производитель : Patriot | Тип памяти : DDR3 | Форм-фактор : SODIMM 204-контактный | Тактовая частота : 1600 МГц | Пропускная способность : 12800 Мб/с | Объем : 1 модуль 8 Гб | Поддержка ECC : нет | Буферизованная (Registered) : нет | Низкопрофильная (Low Profile) : нет | CAS Latency (CL) : 11 | Напряжение питания : 1.5 В | Количество ранков : 2 |